レーザーテック（6920）の沿革

年月

　事項

1960年

7月

東京都目黒区においてレーザーテックの前身である㈲東京ITV研究所を設立

X線テレビジョンカメラの開発、設計、製造を開始

1962年

8月

資本金1,000千円で日本自動制御㈱を設立

1963年

8月

神奈川県川崎市木月へ本社を移転

1965年

11月

神奈川県川崎市北加瀬へ本社を移転

1971年

5月

磁気テープ走行中のテンションを測定する「テンションアナライザー」を開発

1975年

2月

LSIのフォトマスクのピンホールを発見する「フォトマスク・ピンホール検査装置」を開発

1975年

4月

「顕微鏡自動焦点装置」を開発

1976年

10月

LSIのマスクパタン欠陥を自動検査する「フォトマスク欠陥検査装置」を世界で初めて開発

1980年

4月

神奈川県横浜市港北区綱島東へ本社を移転

1985年

6月

「カラーレーザー顕微鏡」を開発

1986年

6月

商号を「レーザーテック株式会社」に変更

1986年

7月

子会社㈱レーザーテック研究所を東京都港区に設立

1986年

12月

Lasertec U.S.A., Inc.（現連結子会社）を米国カリフォルニア州サンノゼ市に設立

1987年

6月

子会社レーザーテック販売㈱を東京都港区に設立

1989年

7月

㈱レーザーテック研究所及びレーザーテック販売㈱を吸収合併

1990年

12月

日本証券業協会に店頭売買銘柄として株式を登録

1993年

7月

LCD（液晶ディスプレイ）の突起欠陥等を検査し、修正する「カラーフィルター欠陥検査装置」及び「カラーフィルター欠陥修正装置」を開発

1994年

11月

位相シフトマスクの位相シフト量を測定する「位相シフト量測定装置」を開発

1996年

12月

フォトマスクに装着されているペリクル及びフォトマスクの裏面に付着した異物を検査する「ペリクル面異物検査装置」を開発

1998年

8月

半導体ウェハ上の欠陥をマルチビームレーザーコンフォーカル光学系を利用して検査する「ウェハ欠陥検査装置」を開発

2000年

2月

フォトマスクの「マスクブランクス欠陥検査装置」を開発

2001年

2月

Lasertec Korea Corp.（現連結子会社）を韓国ソウル市に設立

2004年

12月

ジャスダック証券取引所（現 東京証券取引所JASDAQ（スタンダード））に株式を上場（2012年５月上場廃止）

2008年

3月

神奈川県横浜市港北区新横浜へ本社を移転

2009年

5月

太陽電池の変換効率分布を可視化する「太陽電池変換効率分布測定機」を開発

2010年

6月

Lasertec Taiwan, Inc.（現連結子会社）を台湾新竹県竹北市に設立

2012年

3月

東京証券取引所市場第二部に株式を上場

2013年

3月

東京証券取引所市場第一部銘柄に指定を受ける

2017年

4月

世界で初めてEUV光(波長13.5nm)を用いた「EUVマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置」を開発

2017年

6月

Lasertec China Co., Ltd.（Lasertec Taiwan, Inc.の100%子会社）を中国上海市に設立

2019年

9月

世界で初めてEUV光(波長13.5nm)を用いた「アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置」を開発

2019年

11月

Lasertec Singapore Pte. Ltd.（現連結子会社）をシンガポールに設立

2022年

4月

東京証券取引所の市場区分の見直しにより、市場第一部からプライム市場に移行

2023年

7月

新研究開発拠点「Lasertec Innovation Park（通称：InnoPa）」の稼働を開始